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關(guān)于金博
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產(chǎn)品中心
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相關(guān)產(chǎn)品
用途與特點(diǎn):用于高純硅晶體生長,承載硅料和石英坩堝,抗折強(qiáng)度≥120MPa,作為進(jìn)口石墨的替代產(chǎn)品,裝料量提高5倍以上,持續(xù)為半導(dǎo)體、光伏晶體生長降低成本
用途與特點(diǎn):用于高純硅晶體生長,構(gòu)建晶體生長的梯度溫場,作為進(jìn)口石墨的替代產(chǎn)品,長晶速率提高2倍以上,持續(xù)為半導(dǎo)體、光伏晶體提升生長效率
用途與特點(diǎn): 用于高純硅晶體生長,構(gòu)建長晶空間,保障長晶溫度穩(wěn)定,長晶功率降低40%以上,持續(xù)為半導(dǎo)體、光伏晶體生長節(jié)能降耗
用途與特點(diǎn): 用于高純硅晶體生長,構(gòu)建晶體生長的梯度溫場,作為石墨、石英的替代產(chǎn)品,具有導(dǎo)熱低,強(qiáng)度高,熱膨脹系數(shù)低,抗沖擊性、抗熱震性優(yōu)異等特點(diǎn),持續(xù)為半導(dǎo)體、光伏晶體節(jié)能降耗,提升效率
用途與特點(diǎn): 用于高純硅晶體生長,作為轉(zhuǎn)接部件構(gòu)建長晶空間,強(qiáng)度高,導(dǎo)熱低,重量輕,熱膨脹系數(shù)低,抗熱震性能優(yōu)異,能以更薄的厚度安全承載更大的載荷,持續(xù)為半導(dǎo)體、光伏晶體生長節(jié)能降耗,降低成本
用途與特點(diǎn): 由托盤與中軸構(gòu)成,用于高純硅晶體生長,位于高低溫過渡區(qū),連接熱場內(nèi)外,是熱場承載系統(tǒng)的核心部件,具有強(qiáng)度高,導(dǎo)熱低,重量輕,熱膨脹系數(shù)低,抗沖擊性、抗熱震性優(yōu)異等特點(diǎn),持續(xù)為半導(dǎo)體、光伏晶體生長節(jié)能降耗,降低成本
免費(fèi)獲取產(chǎn)品報(bào)價(jià)
